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TPH1R306PL1,LQ

TPH1R306PL1,LQ
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产品型号 TPH1R306PL1,LQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.34mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8100 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)960mW (Ta), 210W (Tc) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP Advance (5x5.75)
Package / Case8-PowerTDFN

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