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TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ
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产品型号 TK10P60W,RVQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.7A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs430mOhm @ 4.9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 300 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)80W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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