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C3M0120065D

C3M0120065D
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产品型号 C3M0120065D
制造商 Wolfspeed
产品介绍 650V 120M SIC MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs157mOhm @ 6.76A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 1.86mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 15 V Vgs (Max)+19V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)98W (Tc) Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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