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PXN017-30QLJ

PXN017-30QLJ
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产品型号 PXN017-30QLJ
制造商 Nexperia
产品介绍 PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.9A (Ta), 20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.4mOhm @ 7.9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.7W (Ta), 10.9W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageMLPAK33
Package / Case8-PowerVDFN

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