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TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q
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产品型号 TPH8R80ANH,L1Q
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta), 61W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP Advance (5x5)
Package / Case8-PowerVDFN

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