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TPH1R104PB,L1XHQ

TPH1R104PB,L1XHQ
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产品型号 TPH1R104PB,L1XHQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.14mOhm @ 60A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4560 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)960mW (Ta), 132W (Tc) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP Advance (5x5)
Package / Case8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)

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