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TK65S04N1L,LQ

TK65S04N1L,LQ
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产品型号 TK65S04N1L,LQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 32.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2550 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)107W (Tc) Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK+
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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