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TK190U65Z,RQ

TK190U65Z,RQ
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产品型号 TK190U65Z,RQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 7.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 610µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370 pF @ 300 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)130W (Tc) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTOLL
Package / Case8-PowerSFN

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