SSM6G18NU,LF
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| 产品型号 | SSM6G18NU,LF |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 产品介绍 | MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品SSM6G18NU,LF 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 1A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V | FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 6-µDFN (2x2) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
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