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DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13
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产品型号 DMN2011UFDF-13
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 7A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2248 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageU-DFN2020-6 (Type F)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad

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