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PMPB08R6ENX

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产品型号 PMPB08R6ENX
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.6 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds840 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDFN2020MD-6
Package / Case6-UDFN Exposed Pad

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