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PMPB215ENEA/FX

PMPB215ENEA/FX
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产品型号 PMPB215ENEA/FX
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 1.9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds215 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDFN2020MD-6
Package / Case6-UDFN Exposed Pad

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