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TPC8129,LQ(S

TPC8129,LQ(S
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产品型号 TPC8129,LQ(S
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V Vgs (Max)+20V, -25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1650 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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