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SSM6K819R,LF

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产品型号 SSM6K819R,LF
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25.8mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-TSOP-F
Package / Case6-SMD, Flat Leads

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