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SQJ414EP-T1_BE3

SQJ414EP-T1_BE3
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产品型号 SQJ414EP-T1_BE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)45W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8
Package / CasePowerPAK® SO-8

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