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TK3P50D,RQ(S

TK3P50D,RQ(S
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产品型号 TK3P50D,RQ(S
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)60W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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