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PSMN1R6-25YLEX

PSMN1R6-25YLEX
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产品型号 PSMN1R6-25YLEX
制造商 Nexperia
产品介绍 PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C185A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.88mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3698 pF @ 12 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)124W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Package / CaseSC-100, SOT-669

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