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HUF75631SK8

HUF75631SK8
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产品型号 HUF75631SK8
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 5.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs79 nC @ 20 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1225 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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