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PJF18N20_T0_00001

PJF18N20_T0_00001
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产品型号 PJF18N20_T0_00001
制造商 PANJIT
产品介绍 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1017 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageITO-220AB
Package / CaseTO-220-3 Full Pack

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