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SIDR220DP-T1-GE3

SIDR220DP-T1-GE3
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产品型号 SIDR220DP-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C87.7A (Ta), 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 10 V Vgs (Max)+16V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1085 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)6.25W (Ta), 125W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8DC
Package / CasePowerPAK® SO-8

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