TK2R4E08QM,S1X
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| 产品型号 | TK2R4E08QM,S1X |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 产品介绍 | UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品TK2R4E08QM,S1X 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.44mOhm @ 50A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 40 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) | Operating Temperature | 175°C |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220 |
| Package / Case | TO-220-3 |
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