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PJMD990N65EC_L2_00001

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产品型号 PJMD990N65EC_L2_00001
制造商 PANJIT
产品介绍 650V SUPER JUNCITON MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs990mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds306 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)47.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252AA
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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