TW083N65C,S1F
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| 产品型号 | TW083N65C,S1F |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 产品介绍 | G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品TW083N65C,S1F 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 113mOhm @ 15A, 18V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 600µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 18 V | Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 873 pF @ 400 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 111W (Tc) | Operating Temperature | 175°C |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247 |
| Package / Case | TO-247-3 |
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