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PMXB360ENEAZ

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产品型号 PMXB360ENEAZ
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 1.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds130 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta), 6.25W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDFN1010D-3
Package / Case3-XDFN Exposed Pad

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