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SI2367DS-T1-BE3

SI2367DS-T1-BE3
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产品型号 SI2367DS-T1-BE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta), 3.8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 8 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds561 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)960mW (Ta), 1.7W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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