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ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA
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产品型号 ZXMN2F30FHQTA
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds452 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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