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PMPB09R1XNX

PMPB09R1XNX
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产品型号 PMPB09R1XNX
制造商 Nexperia
产品介绍 SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.2 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds940 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta), 21W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDFN2020M-6
Package / Case6-UDFN Exposed Pad

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