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DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7
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产品型号 DMN1019UVT-7
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 9.7A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50.4 nC @ 8 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2588 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.73W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTSOT-26
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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