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PXN9R0-30QLJ

PXN9R0-30QLJ
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产品型号 PXN9R0-30QLJ
制造商 Nexperia
产品介绍 PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.4A (Ta), 41.8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1mOhm @ 11.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.7 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds865 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.9W (Ta), 26W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageMLPAK33
Package / Case8-PowerVDFN

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