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RSQ020N03TR

RSQ020N03TR
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产品型号 RSQ020N03TR
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs134mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)600mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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