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ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA
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产品型号 ZXMN2B03E6TA
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1160 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-6
Package / CaseSOT-23-6

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