RQ6E080AJTCR
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| 产品型号 | RQ6E080AJTCR |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品介绍 | MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6 我们努力为客户提供 ROHM Semiconductor品牌的产品RQ6E080AJTCR 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 8A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.2 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1810 pF @ 15 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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