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S2M0040120K

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产品型号 S2M0040120K
制造商 SMC Diode Solutions
产品介绍 MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-4
Package / CaseTO-247-4

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