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AS2312

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产品型号 AS2312
制造商 Anbon Semiconductor
产品介绍 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.05 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds888 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.2W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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