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3400

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产品型号 3400
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 2.8A, 2.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds820 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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