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G3035

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产品型号 G3035
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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