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3415A

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产品型号 3415A
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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