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G2002A

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产品型号 G2002A
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds733 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-6L
Package / CaseSOT-23-6

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