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G75P04S

G75P04S
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产品型号 G75P04S
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<8
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6893 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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