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PJQ1916_R1_00201

PJQ1916_R1_00201
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产品型号 PJQ1916_R1_00201
制造商 PANJIT
产品介绍 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds46 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)500mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDFN1006-3
Package / Case3-UFDFN

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