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GT1003A

GT1003A
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产品型号 GT1003A
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds206 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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