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9926

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产品型号 9926
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.25W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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