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G10P03

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产品型号 G10P03
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1550 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)20W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-DFN (3.15x3.05)
Package / Case8-PowerVDFN

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