1N60G
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| 产品型号 | 1N60G |
|---|---|
| 制造商 | UMW |
| 产品介绍 | SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS 我们努力为客户提供 UMW品牌的产品1N60G 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tj) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 500mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
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