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2N65G

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产品型号 2N65G
制造商 UMW
产品介绍 SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tj) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds311 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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