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GT750P10K

GT750P10K
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产品型号 GT750P10K
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1940 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)79W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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