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G100N03D5

G100N03D5
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产品型号 G100N03D5
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5595 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-DFN (4.9x5.75)
Package / Case8-PowerTDFN

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