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GT025N06AD5

GT025N06AD5
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产品型号 GT025N06AD5
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5044 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)104W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-DFN (4.9x5.75)
Package / Case8-PowerTDFN

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