CGD65B200S2-T13
Cambridge GaN Devices图片仅供参考。
有关产品详细信息，请参阅产品规范。
放心在凌创辉购买CGD65B200S2-T13
有关产品详细信息，请参阅产品规范。
放心在凌创辉购买CGD65B200S2-T13
我们有10000+的商品库存，并可获得大量短期和定期的交付周期资源。请向我们询价价格和供货情况。
| 产品型号 | CGD65B200S2-T13 |
|---|---|
| 制造商 | Cambridge GaN Devices |
| 产品介绍 | 650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6. 我们努力为客户提供 Cambridge GaN Devices品牌的产品CGD65B200S2-T13 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | - |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 9V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 2.75mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V | Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | Current Sensing |
| Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
CGD65B200S2-T13 相关的关键词
CGD65B200S2-T13是一款高性能、可靠性强的单 FET、MOSFET
，如果您在找CGD65B200S2-T13，由知名制造商Cambridge GaN Devices设计生产，产品说明：650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.，这款单 FET、MOSFET
汇聚了多项优势。
凌创辉电子建立了完善的供应链体系，可以为您提供 CGD65B200S2-T13 的现货或期货供应。我们致力于满足您的需求，确保及时供货和竞争性的价格。
凌创辉电子提供可靠，稳定的原厂原装Cambridge GaN Devices 品牌， 型号 CGD65B200S2-T13 供应链解决方案，如您需要 CGD65B200S2-T13 （产品说明：650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.' ，这款单 FET、MOSFET ），请与我们联系，我们将为您提供短交期现货以及常规原厂排单订货报价，具体信息请联系凌创辉电子专业销售团队。
凌创辉电子建立了完善的供应链体系，可以为您提供 CGD65B200S2-T13 的现货或期货供应。我们致力于满足您的需求，确保及时供货和竞争性的价格。
凌创辉电子提供可靠，稳定的原厂原装Cambridge GaN Devices 品牌， 型号 CGD65B200S2-T13 供应链解决方案，如您需要 CGD65B200S2-T13 （产品说明：650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.' ，这款单 FET、MOSFET ），请与我们联系，我们将为您提供短交期现货以及常规原厂排单订货报价，具体信息请联系凌创辉电子专业销售团队。
扫一扫，微信咨询