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GPIHV7DK

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产品型号 GPIHV7DK
制造商 GaNPower
产品介绍 GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 3.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 6 V Vgs (Max)+7.5V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 700 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package-
Package / Case-

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